著者

藤農 佑樹 瀬戸 大樹 武部 正英 為頭 美斗子 ポール ナラヤン チャンドラ 飯山 宏一 高宮 三郎

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.105, no.110, pp.7-12, 2005-06-03

参考文献数

5

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化合物半導体MIS構造デバイスを実現するため、我々はこれまでにGaAsについては酸窒化が良好な絶縁膜/半導体界面形成の手段となることを明らかにした。しかし、従来のプロセスでは窒素プラズマによるレジストアッシングの問題からプラズマ処理時間が制限され、充分な窒化を行うことが困難であった。本研究では、レジストアッシング問題を回避するために、通常のレジストの代わりにAl膜を使用するプロセスを考案し、その新プロセスによりGaAs-MISFETを試作した。