- 著者
-
五明 明子
鈴木 徹
飯島 澄男
- 出版者
- 公益社団法人 応用物理学会
- 雑誌
- 応用物理 (ISSN:03698009)
- 巻号頁・発行日
- vol.58, no.9, pp.1360-1367, 1989
有機金属気相成長により成長したGa<sub>x</sub>In<sub>1-x</sub>P結晶のバンドギャップエネルギー (<i>E</i><sub>g</sub>) が, GaAs基板に格子整合のとれた組成 (<i>x</i>=0.5) のもとで,既報告値~1.92eVより約90meV低い値をとりうることを見いだした. Ga<sub>0.5</sub>In<sub>0.5</sub>Pの<i>E</i><sub>g</sub>は,成長時の原料のV族対III族濃度比,成長温度, ZnやMgなどのp型不純物ドーピング濃度,基板結晶方位などに依存する.このE<sub>g</sub>異常に対応して, [〓1±11] 方向のGaとIn単層超格子の形成を見いだした,この単層超格子の形成に対する基板方位の及ぼす影響を調べ,超格子の形成に基板が本質的な役割を果たすことを明らかにした.その結果に基づいて,超格子形成メカニズムを提案した.