著者

小黒 康裕 高橋 秀和 山下 雄一郎 菊池 伸 藤田 雅人 平山 聡 加納 大幹 橋本 栄 門間 玄三 井上 俊輔

出版者

一般社団法人 映像情報メディア学会

雑誌

映像情報メディア学会技術報告 35.17 (ISSN:13426893)

巻号頁・発行日

pp.19-22, 2011-03-15 (Released:2017-09-21)

参考文献数

3

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0.25μm 1P3M CMOSプロセスを用いて,300mmシリコンウエハに202mm×205mmのCMOSイメージセンサを開発した.画素サイズ:160μm^2,画素数:160万画素であり,画素内電圧ゲインアンプ,列差動読み出し回路を搭載している.これにより,高感度(25Me^-/lx/s),低ノイズ(13e^-rms)を実現しており,低輝度でも鮮明な画像を撮ることができる.本報告では,300mmウエハサイズCMOSイメージセンサの概要およびセンサ性能について述べる.

著者

井上 俊輔 加藤 久幸 飯塚 康治 山脇 正雄 櫻井 克仁 上野 勇武 小泉 徹 樋山 拓己 浅羽 哲朗 須川 成利 前田 敦 東谷 恵市

出版者

一般社団法人 映像情報メディア学会

雑誌

映像情報メディア学会技術報告 (ISSN:13426893)

巻号頁・発行日

vol.25, pp.37-41, 2001

参考文献数

6

被引用文献数

9 5

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一眼レフディジタルカメラ用, APS-Cサイズ総画素数325万のCMOSイメージセンサを開発した。画素サイズは10.5μm^□で, 埋め込み型フォトダイオードと4つのトランジスタより構成した, 完全電荷転送構造を採用し, 列毎に設けたノイズ除去回路で画素リセットノイズと固定パターンノイズを低減した。0.35μmルールCMOSプロセスをセンサ向けに専用化したプロセスを用い, 暗電流密度60pA/cm^2(60℃), ランダムノイズ0.27mVrms, 消費電力250mWを達成した。

著者

武藤 隆 戸塚 洋史 坪井 俊紀 吉田 大介 松野 靖司 大村 昌伸 高橋 秀和 櫻井 克仁 市川 武史 譲原 浩 井上 俊輔

出版者

一般社団法人 映像情報メディア学会

雑誌

映像情報メディア学会技術報告 40.12 (ISSN:13426893)

巻号頁・発行日

pp.29-32, 2016-03-04 (Released:2017-09-22)

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我々は,消費電力の増加を抑制し,AD変換時間の短縮と広ダイナミックレンジ化を実現するデュアルゲインアンプ型シングルスロープ列ADC(SSDG-ADC)を搭載したAPS-Hサイズ2.5億画素CMOSイメージセンサを開発した。SSDG-ADCは,画素の信号レベルがある閾値レベルより低いときは列回路に設けられたアンプのゲインを高ゲインに設定し,閾値レベルより高いときは低ゲインに設定する手法である。その結果,シングルスロープ列AD(SS-ADC)に対して,AD変換時間を75%短縮し,6dBのダイナミックレンジ拡大を実現した.

著者

井上 俊輔 中元 祐司 原田 知典

出版者

早稲田大学社会科学学会

雑誌

早稲田社会科学総合研究. 別冊, 2008年度学生論文集 (ISSN:13457640)

巻号頁・発行日

pp.223-232, 2009-06-25