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文献一覧: 伊部 英史 (著者)
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最新半導体デバイスの環境中性子線エラー : デザインルール22nmへのインパクトと対策
著者
伊部 英史
新保 健一
谷口 斉
鳥羽 忠信
出版者
一般社団法人電子情報通信学会
雑誌
電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路
(
ISSN:09135685
)
巻号頁・発行日
vol.109, no.318, pp.29-34, 2009-11-25
メモリ、論理ゲートなど半導体デバイスの環境中性子線によるエラーのメカニズム、各種エラーモードの現状と22nmデザインルールまでの予測、電子システムへの影響と対策について概括する。