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文献一覧: 元吉 真 (著者)
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宇宙線中性子によるSRAMのソフトエラー : 微細化に伴うMOSFET共通の問題(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
著者
小林 一
臼木 秀樹
白石 謙
土屋 博男
元吉 真
義家 敏正
石崎 敏孝
櫻井 良憲
永井 泰樹
高久 圭二
出版者
一般社団法人電子情報通信学会
雑誌
電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路
(
ISSN:09135685
)
巻号頁・発行日
vol.103, no.2, pp.57-62, 2003-04-03
SRAMに対して、平地、高地、地下でのフィールド試験から、ソフトエラーの主要因である高エネルギー中性子、熱中性子、α線の寄与の割合を求めた。その結果、0.18μm 8M SRAMでは、熱中性子起因が全体の3/4、高エネルギー中性子起因が1/4、α線起因は無視できることがわかった。また、原子炉での熱中性子照射実験の結果、熱中性子起因ソフトエラーは、対策によって数100分の1にできることがわかった。最後に、これからの本格的なネットワーク社会におけるソフトエラー問題について展望する。