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文献一覧: 義家 敏正 (著者)
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OA
KUR陽電子ビームラインのビーム強度に対する線源部の影響評価
著者
薮内 敦
仲 竜太朗
義家 敏正
葛谷 佳広
田口 遼
木野村 淳
出版者
一般社団法人 日本物理学会
雑誌
日本物理学会講演概要集 73.1
(
ISSN:21890803
)
巻号頁・発行日
pp.2580, 2018 (Released:2019-05-13)
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OA
材料損傷機構の実験および理論による包括的研究と高エネルギー量子ビーム場用材料開発
著者
川合 將義
渡辺 精一
粉川 博之
川崎 亮
長谷川 晃
栗下 裕明
菊地 賢司
義家 敏正
神山 崇
原 信義
山村 力
二川 正敏
深堀 智生
斎藤 滋
前川 克廣
伊藤 高啓
後藤 琢也
佐藤 紘一
橋本 敏
寺澤 倫孝
渡辺 幸信
徐 超男
石野 栞
柴山 環樹
坂口 紀史
島川 聡司
直江 崇
岩瀬 宏
兼子 佳久
岸田 逸平
竹中 信幸
仲井 清眞
出版者
大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構
雑誌
基盤研究(S)
巻号頁・発行日
2007
高エネルギー高強度陽子ビーム場の材料は、強烈な熱衝撃や放射線によって損傷を受ける。衝撃損傷過程と影響を実験的に調べ、その緩和法を導いた。また放射線損傷を理論的に評価するコードを開発した。さらに、損傷に強い材料として従来の材料に比べて強度の4倍高く室温で延性を持つタングステン材と耐食性が4倍高いステンレス鋼を開発した。衝撃実験における応力発光材を用いた定量的な方法を考案し、実用化の目処を得た。
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宇宙線中性子によるSRAMのソフトエラー : 微細化に伴うMOSFET共通の問題(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
著者
小林 一
臼木 秀樹
白石 謙
土屋 博男
元吉 真
義家 敏正
石崎 敏孝
櫻井 良憲
永井 泰樹
高久 圭二
出版者
一般社団法人電子情報通信学会
雑誌
電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路
(
ISSN:09135685
)
巻号頁・発行日
vol.103, no.2, pp.57-62, 2003-04-03
SRAMに対して、平地、高地、地下でのフィールド試験から、ソフトエラーの主要因である高エネルギー中性子、熱中性子、α線の寄与の割合を求めた。その結果、0.18μm 8M SRAMでは、熱中性子起因が全体の3/4、高エネルギー中性子起因が1/4、α線起因は無視できることがわかった。また、原子炉での熱中性子照射実験の結果、熱中性子起因ソフトエラーは、対策によって数100分の1にできることがわかった。最後に、これからの本格的なネットワーク社会におけるソフトエラー問題について展望する。