- 著者
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脇谷 尚樹
鈴木 久男
坂元 尚紀
篠崎 和夫
符 徳勝
- 出版者
- 静岡大学
- 雑誌
- 基盤研究(B)
- 巻号頁・発行日
- 2010
成膜時に磁場印加が可能なPLD装置(ダイナミックオーロラPLD)を用いてNb-SrTiO3(001)単結晶上にエピタキシャル成長させたSr過剰組成のSrTiO3薄膜には基板の垂直方向に向かって自発的に超格子構造が生成する。この現象が生じるメカニズムとしてはスピノーダル分解であることが明らかになった。また、この薄膜では強誘電性が発現するが、その原因はスピノーダル分解によって生じた、組成の異なる層の界面におけるひずみのためであると考えられた。