著者

大歳 創

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.59, no.9, pp.1193-1197, 1990-09-10 (Released:2009-02-05)

参考文献数

23

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半導体レーザーに歪み量子井戸構造を導入すると,材料選択の自由度が増すため,従来実現が困難であった波長領域での発振が可能になる.さらに,歪み効果自体を利用することで,従来の格子整合系の量子井戸レーザーに比べて特性を大幅に向上できる可能性がある.本稿では,歪みによるエネルギーバンド構造の変化とレーザー特性の関係について理論的に考察する.また,最近の0.9~1.1μm帯InGaAs/GaA8レーザー,および1.5μm帯InGaAs/InPレーザーの実験状況をまとめ,歪み量子井戸レーザーの現状と将来性について述べる.