- 著者
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横本 拓也
荒井 崇
小坂 孝之
岡島 和希
山上 朋彦
阿部 克也
榊 和彦
- 出版者
- 一般社団法人電子情報通信学会
- 雑誌
- 電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 (ISSN:09135685)
- 巻号頁・発行日
- vol.112, no.265, pp.61-64, 2012-10-19
コールドスプレー法により作製したCu/Alターゲットを用いた反応性スパッタリング法によりCuAlO_2薄膜の作製を試みた。コールドスプレー法により作製したターゲットは合金ではなく複合金属状態であった。ターゲットのCu組成を大きくしていくと、膜中のCu組成も増加し、Al組成は減少した。また、酸素流量を増加させることで、ターゲットのCu成分のスパッタリングレートが減少し、相対的にAlの組成比が増加することがわかった。ターゲット組成Cu:Al=28:72、酸素流量3sccmの成膜条件において、ストイキオメトリーに近い膜が得られた。また、この膜のXRD測定を行ったところアモルファスライクな膜であることがわかった。そこで、結晶化を図るためにアニール処理を施した。しかし、CuOに起因するピークのみしか得られずCuAlO_2に起因するピークは得られなかった。