- 著者
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塩島 謙次
牧村 隆司
小杉 敏彦
末光 哲也
重川 直輝
廣木 正伸
横山 春喜
- 出版者
- 一般社団法人電子情報通信学会
- 雑誌
- 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス (ISSN:09135685)
- 巻号頁・発行日
- vol.105, no.521, pp.41-44, 2006-01-12
SiC基板上0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaNHEMTミキサーを作製し、DC、及び変調特性を評価した。T字0.15×300μmゲートデバイスは最大相互コンダクタンス40mS, オン耐圧30V以上、オフ耐圧86Vを示した。電源電圧30V、ローカル周波数10GHzにおいて、最大RF出力17dBm, 変換利得7.5dBの特性を示した。ローカル周波数が2GHzから10GHzに増加しても、最大RF出力、及び変換利得の低下はそれぞれ2dB、2.6dBに抑えたれた。これらの結果はゲート長短縮による周波数特性の改善で、AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTがX帯までの応用を実現できることを示唆するものである。