著者

貞方 健太 山内 寛行 山野辺 泰治

出版者

電気・情報関係学会九州支部連合大会委員会

雑誌

電気関係学会九州支部連合大会講演論文集 平成20年度電気関係学会九州支部連合大会(第61回連合大会)講演論文集

巻号頁・発行日

pp.395, 2008 (Released:2010-04-01)

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CMOSの微細化が進みCMOSの閾値電圧のばらつきがSRAMセルの書き込みマージンに与える影響が深刻になってきている。本研究では、CMOSの閾値電圧のばらつきを統計学的に処理することで書き込みマージンへの影響を、1)感度解析と、2)閾値電圧を正規分布下でモンテカルロ解析を行い、閾値電圧のばらつきに対するSRAMの書き込みマージンのばらつきを求めた。両手法とも、閾値電圧の基準値を400mVとし閾値電圧の標準偏差50mVとすると、変化する書き込みマージンはおよそ46mVの標準偏差を持つばらつきを持つことがわかった。