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文献一覧: 常盤 直哉 (著者)
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NANDフラッシュメモリ技術動向および113mm^2 32Gb 3b/cell NANDフラッシュメモリ(メモリ技術)
著者
二山 拓也
藤田 憲浩
常盤 直哉
進藤 佳彦
枝広 俊昭
亀井 輝彦
那須 弘明
岩井 信
加藤 光司
福田 康之
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大島 成夫
出版者
一般社団法人電子情報通信学会
雑誌
電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路
(
ISSN:09135685
)
巻号頁・発行日
vol.109, no.2, pp.39-42, 2009-04-06
32nmCMOS製造プロセスを用いて3ビット/セルの多値技術を持った32GビットのNANDフラッシュメモリを開発した。微細化と3ビット/セル技術の導入により、チップサイズ113mm2を実現した。プレスリリースされている32GビットNANDフラッシュとしては世界最小かつ最高密度であり、マイクロSDカードに実装できるNANDフラッシュメモリとしては世界最大容量を実現した。本発表では、最近のNANDフラッシュメモリの技術動向に関してもあわせて紹介する。