1 0 0 0 OA ダイヤモンド結晶成長 : パワーデバイス応用への現状と課題(<特集>ダイヤモンド成長)
- 著者
- 嘉数 誠 平間 一行 佐藤 寿志
- 出版者
- 日本結晶成長学会
- 雑誌
- 日本結晶成長学会誌 (ISSN:03856275)
- 巻号頁・発行日
- vol.39, no.4, pp.158-163, 2013 (Released:2017-05-31)
- 参考文献数
- 20
ダイヤモンド半導体は,パワーデバイス応用に最も適した材料である.しかし,ドナー,アクセプタ不純物,無欠陥,無結晶丘の大面積ウエファー単結晶などの解決すべき結晶成長の課題が残されている.特に欠陥や結晶丘の生成機構や成長表面の機構は明らかになっていない.しかし高濃度の正孔チャンネルが熱的安定化できるようになり,デバイス特性はようやく実用水準に達した.
1 0 0 0 OA 水素終端ダイヤモンド表面近傍に存在するp型表面蓄積層
- 著者
- 川原田 洋 平間 一行 荻原 大輔
- 出版者
- 公益社団法人 日本表面科学会
- 雑誌
- 表面科学 (ISSN:03885321)
- 巻号頁・発行日
- vol.29, no.3, pp.144-150, 2008-03-10 (Released:2008-03-23)
- 参考文献数
- 24
- 被引用文献数
- 2 2
The discovery process and the mechanism of p-type surface layer accumulation of hydrogen terminated diamond surfaces have been reviewed from the point of surface characterization and carrier formation near the subsurface. Since diamond is an insulating material, the surface density is as high as the order of 1013 cm−2 that is enough for high performance field effect transistors to be realized. The surface dipole formed by hydrogen-carbon bonds has a crucial role for the surface band structure of diamond. Also important is several types of negatively charged adsorbates necessary for charge neutrality condition and hole accumulation. New models for carrier emergence such as a transfer doping model have been discussed.