著者

柴口 拓 池田 弥央 東 清一郎 宮崎 誠一

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.104, no.713, pp.63-66, 2005-03-04

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光照射下及び暗時においてSi量子ドットフローティングゲートMOSキャパシタの容量-電圧(C-V)特性及び過渡I-V特性を調べた。p及びn型Si(100)基板上に作製したAlゲートMOSキャパシタのC-V特性は、Siドットへの電荷注入・放出により、基板のフェルミ準位を反映した対称的なヒステリシスを示すことから、ヒステリシス特性に対する特定のエネルギーを持ったトラップからの影響を無視できる。また、光照射することでMOSFETsの動作状態である反転領域においてSiドットへの電子注入による容量ピークを観測した。このことは、光照射下におけるMOSキャパシタの特性からSi量子ドットフローティングゲートMOSFETsにおける最適な動作バイアス条件が評価可能であることを示す。

著者

宮崎 誠一 東 清一郎 村上 秀樹

出版者

広島大学

雑誌

特定領域研究

巻号頁・発行日

2006

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自己組織化形成したシリコン量子ドット上にNi薄膜を形成後、水素プラズマ処理を施してNiシリサイドナノドットを形成すると共に、このNiシリサイドナノドットが極薄シリコン酸化膜を挟んでシリコン量子ドット上に配置したハイブリッドナノドット構造を作成し、フローティングゲートメモリへの応用研究を推進した。ハイブリッドナノドットMOSデバイスにおいて、パルスゲートバイアス印加により、電荷注入放出過程を調べた結果、シリコンナノドットの離散化したエネルギ-準位を反映した多段階の電荷注入・放出特性が得られると共に、Niシリサイドの深いポテンシャル井戸を反映した、良好な電荷保持特性が得られた。