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文献一覧: 橋爪 健一 (著者)
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OA
耐照射損傷性を有する高効率半導体ガンマ線電池の開発
著者
橋爪 健一
出版者
九州大学
雑誌
挑戦的萌芽研究
巻号頁・発行日
2011
ガンマ線をエネルギー源とするシリコン半導体およびテルル化カドミウム半導体を用いた放射線電池を開発し、5%以上のエネルギー変換に成功した。発電効率は、素子の厚さ、照射温度に顕著に依存した。これらの特性は、照射によって生成した電子-正孔のキャリアの寿命、拡散長に起因することが分かった。また、長期照射に伴う発電効率の低下は避けられなかったが、素子の加熱焼鈍によって回復することが分かった。