著者

神垣 良昭 南 眞一

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.71, no.9, pp.1138-1142, 2002-09-10 (Released:2009-02-05)

参考文献数

11

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最近,急激な市場の立ち上げを見せているICカードは,CPU,RAM,ROMのほかに,電気的にデータの書き換えが可能な不揮発性メモリーEEPROMを搭載している.MONOS型のEEPROMメモリーセルは高信頼性,高生産性に加えて,標準の半導体製造プロセスとの整合性がよい. ロジツク混載半導体チップへの適用が比較的容易なことから,MONOS型はシステム・オン・チップ(SOC)における有望な不揮発性メモリーといえる.シリコン窒化膜内の捕獲中心に電荷を蓄える構造のMONOS型は,従来,トンネル方式プログラムを採用しているが,局所的なメモリー現象を利用するホットキャリア方式が現れ,高集積・高速を実現している.MONOS型不揮発性メモリーの開発経緯,応用,今後の展開を述べる.

著者

南眞 一量 神垣 良昭

出版者

公益社団法人 電気化学会

雑誌

Electrochemistry (ISSN:13443542)

巻号頁・発行日

vol.72, no.7, pp.520, 2004-07-05 (Released:2019-06-08)

被引用文献数

1 1