著者

原 明人 竹井 美智子 吉野 健一 竹内 文代 佐々木 伸夫

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.104, no.3, pp.1-6, 2004-04-09

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ガラス基板上に550℃のプロセス温度で金属ゲート電極を有する自己整合ダブルゲート多結晶シリコン(poly-Si)薄膜トランジスタ(TFT)を形成した。結晶化には半導体励起固体(DPSS)連続発振(CW)レーザによるCLC技術を利用した。本TFTの電流駆動能力は、トツプゲート型のエキシマレーザ結晶化poly-Si TFTの電流駆動能力の8-9倍を有する。さらに、単結晶の(100) SIMOX-TFTよりも大きい。また、89mV/decと小さいS値が得られた。これらの特性は、ガラス基板上への高性能回路の形成を導くものである。