著者

原 明人 竹井 美智子 吉野 健一 竹内 文代 佐々木 伸夫

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.104, no.3, pp.1-6, 2004-04-09

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ガラス基板上に550℃のプロセス温度で金属ゲート電極を有する自己整合ダブルゲート多結晶シリコン(poly-Si)薄膜トランジスタ(TFT)を形成した。結晶化には半導体励起固体(DPSS)連続発振(CW)レーザによるCLC技術を利用した。本TFTの電流駆動能力は、トツプゲート型のエキシマレーザ結晶化poly-Si TFTの電流駆動能力の8-9倍を有する。さらに、単結晶の(100) SIMOX-TFTよりも大きい。また、89mV/decと小さいS値が得られた。これらの特性は、ガラス基板上への高性能回路の形成を導くものである。

著者

原 明人 吉野 健一 竹内 文代 佐々木 伸夫

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.101, no.15, pp.21-27, 2001-04-13

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エネルギー安定性の非常に高い半導体励起固体(DPSS)CWレーザ(Nd:YVO_4, 532nm, 10W)を利用してガラスに熱損傷を与えることなくTFTのチャネル領域を単結晶化する新しい結晶成長方法について報告する。本方法の特徴は、(1)チャネル領域を熱浴として作用する厚いシリコン膜で覆う(2)ネッキング構造をチャネル領域に付加する(3)チャネル領域に沿って、ネッキング領域側から結晶化させる(4)裏面からレーザ照射することである。本方法を利用してチャネル領域全域にわたって単結晶化することに成功した。単結晶化領域は幅2μm、長さ20μmである。450℃のプロセスを利用してガラス上にTFTを作成した結果、最高移動度410cm^2/Vs(平均移動度310cm^2/Vs), S-value 0.20V/dec、Vth=0.2Vが得られた。