- 著者
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名西 憓之
荒木 努
山口 智広
金子 昌充
WANG Ke
城川 潤二郎
- 出版者
- 立命館大学
- 雑誌
- 基盤研究(A)
- 巻号頁・発行日
- 2009
DERI法(DropletEliminationbyRadicalbeamIrradiation)を用いた高品質厚膜InN結晶成長技術を基盤として、InN系材料をベースとした電子・光デバイス実現へ向けたInNおよびInGaN混晶材料の結晶成長高品質化技術、厚膜化技術、ラジカルモニタリングによる組成制御技術、Mgドーピングによるp型伝導制御技術、InGaN系ヘテロ・ナノ構造作製技術、デバイス作製基盤要素技術の開発を実施した。