著者

倪 静萍 鍛冶 弘一 柳 久雄 上田 裕清

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス

巻号頁・発行日

vol.96, no.143, pp.65-70, 1996-07-05

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100℃に保ったKBr上に蒸着したMe-PTC膜は互いに直交する短冊状結晶から形成され、Me-PTC結晶は基板結晶と[100] (001)_<Me-PTC> &parsl; [110] (001)_<KBr>の関係で配向成長した。このKBr上のMe-PTC配向膜を基板として室温でCuPcあるいはVOTPPを蒸着すると、Me-PTCの短冊状結晶上にCuPcの針状結晶あるいはVOTPPの矩形状結晶が形成した。CuPcおよびVOTPP結晶はMe-PTC膜上で[010] (001)_<CuPc> &parsl; [100] (001)_<Me-PTC>および[100] (001)_<VOTPP> &parsl; [100] (001)_<Me-PTC>の関係でヘテロエビタキシャル成長した。