- 著者
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倪 静萍
鍛冶 弘一
柳 久雄
上田 裕清
- 出版者
- 一般社団法人電子情報通信学会
- 雑誌
- 電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス
- 巻号頁・発行日
- vol.96, no.143, pp.65-70, 1996-07-05
100℃に保ったKBr上に蒸着したMe-PTC膜は互いに直交する短冊状結晶から形成され、Me-PTC結晶は基板結晶と[100] (001)_<Me-PTC> ⫽ [110] (001)_<KBr>の関係で配向成長した。このKBr上のMe-PTC配向膜を基板として室温でCuPcあるいはVOTPPを蒸着すると、Me-PTCの短冊状結晶上にCuPcの針状結晶あるいはVOTPPの矩形状結晶が形成した。CuPcおよびVOTPP結晶はMe-PTC膜上で[010] (001)_<CuPc> ⫽ [100] (001)_<Me-PTC>および[100] (001)_<VOTPP> ⫽ [100] (001)_<Me-PTC>の関係でヘテロエビタキシャル成長した。