- 著者
-
池田 正則
岩本 幸也
長嶋 直之
- 出版者
- 一般社団法人電子情報通信学会
- 雑誌
- 電子情報通信学会論文誌. C-II, エレクトロニクス, II-電子素子・応用 (ISSN:09151907)
- 巻号頁・発行日
- vol.82, no.4, pp.190-196, 1999-04-25
NH_4F水溶液でエッチしたSi(100)表面におけるFの結合状態, 及び大気放置による自然酸化膜成長中のFの振舞いについて, X線光電子分光法により調べた. NH_4F水溶液でエッチしたSi(100)表面からのF1sスペクトルは, HF水溶液浸漬表面からのそれと同様に, Si-F及びSi-F_2結合に相当する二つのガウス型波形に分離できた. NH_4F水溶液でエッチした表面におけるFの大部分はSi-F_2結合として存在する. この表面を大気放置した場合, 表面の自然酸化膜成長とともに, F1sピーク強度は増大して極大に達した後, 減少した. また, 二つのF1s分離成分の結合エネルギーは高エネルギー側にシフトした. このことから, FはSi表面のみではなく, 深さ方向の分布をもって存在していると考えられる. また, 大気放置による自然酸化膜の成長によって, Fの位置は酸化膜表面へ変化するものと考えられる.