著者

藤田 耕一郎 白川 一彦 高橋 直 劉 翊 岡 徹 山下 雅治 作野 圭一 川村 博史 長谷川 正智 高 秀樹 籠島 謙知 貴島 洋史 佐藤 浩哉

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.103, no.560, pp.15-20, 2004-01-14

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InGaP/GaAs HBT 2段構成による5GHz帯Wireless-LAN用パワーアンプを開発した。セルフアライン技術とベースメササイドエツチングによりHBTの高利得化を実現した。また、微細ビアホール作製プロセスを開発した。HBTの各フィンガー間に微細ピアホールを配置することによって、マルチフィンガーHBTの利得の向上を実現した。さらに、新規可変負帰還回路の開発により、線形性も改善した。これらの技術をとりいれたパブーアンプMMICを試作し、54 Mbps伝送時に、Pout=19.7dBm、Gain=22dB、PAE=22.5%、EVM=5.0%と良好な性能を得た。