著者

矢野 和男 石井 智之 橋本 孝司 小林 孝 村井 二三夫 関 浩一

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.63, no.12, pp.1248-1251, 1994-12-10 (Released:2009-02-05)

参考文献数

11

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室温において単一電子メモリーおよび単一電子トランジスタの動作に初めて成功した.これを可能にしたのは,3.4nmという超薄膜ポリシリコン中に自然に形成される,量子細線と量子ドットとを用いた点にある.このポリシリコンをチャネルとした薄膜トランジスタ構造では,ゲート電圧をしきい値近傍に設定すると単一電子トランジスタとして動作し,明確なクー日ン階段を示した.ゲート電圧をしきい値よりも大きく設定すると単一電子メモリーとして働き,量子化されたしぎい電圧の変化を示した.単一電子メモリーは従来のフラッシュメモリーの限界を突破する高速で不揮発なメモリーの可能性を秘めている.