著者

六本 佳平 ダニエル フット IWAI Hiroshi DOI Tadashi KURIYAAM Hiromichi KOMEDA Mototane

出版者

放送大学

雑誌

基盤研究(C)

巻号頁・発行日

2000

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1)法報道の概念および研究分野としての意義について考察した。2)法報道の量の増大について数量的なデータを得るべく、朝日新聞縮刷版により60年、80年、00年の各偶数月の法報道(一定の基準を設定)記事の内容・大きさ・頻度等を調査し、40年間に記事の数が3倍近く増えていることを確認した。3)法律の専門知識とジャーナリズムの専門性とにまたがるこの分野に対する報道機閧の体制について内外の関係者に若干のインタビュー、研究報告により、現状を考察した。4)アメリカ大統領選挙におけるTV報道とその役割について、六本およびフットの報告・討論を行い、メディアの法報道が重要な政治的役割を果たす過程を具体的に分析した。

著者

Sakurai Yoko Kakushima Kuniyuki Ohmori Kenji Yamada Keisaku Iwai Hiroshi Shiraishi Kenji Nomura Shintaro

出版者

Optical Society of America

雑誌

Optics Express (ISSN:10944087)

巻号頁・発行日

vol.22, no.2, pp.1997-2006, 2014-01

被引用文献数

3

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Low-temperature photoluminescence (PL) spectra of electron-hole systems in Si nanowires (NWs) prepared by thermal oxidization of Si fin structures were studied. Mapping of PL reveals that NWs with uniform width are formed over a large area. Annealing temperature dependence of PL peak intensities was maximized at 400 °C for each NW type, which are consistent with previous reports. Our results confirmed that the micro-PL demonstrated here is one of the important methods for characterizations of

著者

Sato Soshi Li Wei Kakushima Kuniyuki Ohmori Kenji Natori Kenji Yamada Keisaku Iwai Hiroshi

出版者

American Institute of Physics

雑誌

Applied physics letters (ISSN:00036951)

巻号頁・発行日

vol.98, no.23, pp.233506, 2011-06

被引用文献数

9

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Interfacial states of silicon nanowire field-effect transistors with rectangular-like cross-sections (wire height of 10 nm and widths of 9 and 18 nm) have been evaluated from the transfer characteristics in the subthreshold region measured at cryogenic temperatures, where kinks in the drain current becomes prominent. It is found that the kinks can be well-explained assuming local interfacial states near the conduction band (Ec). The main extracted local states have been shown to exist at 10 and 31 meV below Ec with the densities of 1.3×1013 cm−2/eV and 5.4×1012 cm−2/eV, respectively. By comparing two field-effect transistors with different wire widths, the former states can be assigned to the states located at the corner and the side surface of the wire, and the latter to the top and the bottom surfaces.