著者

吉武 道子 Song Weijie

出版者

公益社団法人 日本表面科学会

雑誌

表面科学講演大会講演要旨集 第24回表面科学講演大会

巻号頁・発行日

pp.50, 2004 (Released:2004-11-08)

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NiAl(110)およびCu_-_9Al(111)表面に、厚さ1_-_4nmのエピタキシャルアルミナ膜を成長させることに成功した。このアルミナ膜(絶縁体)_-_金属界面においては、絶縁体中のキャリア電子がほとんどないことから、バンドベンディングのような機構が働かず、界面でポテンシャルギャップが生じると予想される。UPS、XPS、ケルビン法を用いて界面のポテンシャル状態を測定した。