著者

岡田 隆太 吉越 章隆 寺岡 有殿 神農 宗徹 山田 洋一 佐々木 正洋

出版者

公益社団法人 日本表面真空学会

雑誌

表面科学学術講演会要旨集 第32回表面科学学術講演会

巻号頁・発行日

pp.28, 2012 (Released:2012-11-28)

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Ge低指数面の中で電子移動度に優れる(111)は、電界効果トランジスタのチャンネルとして検討され、その酸化機構の解明は重要である。本研究では異なるEkによる表面酸化物の違いを放射光XPSにより調べた。Ek増加による酸素吸着量増加とそれに対応したGeの酸化成分の変化を発見した。吸着酸素の増加がGe3+形成に対して1.0 eVにエネルギー閾値を持つ活性化反応に起因することが分かった。

著者

吉越 章隆 岡田 隆太 寺岡 有殿 山田 洋一 佐々木 正洋 神農 宗徹

出版者

公益社団法人 日本表面真空学会

雑誌

表面科学学術講演会要旨集 第32回表面科学学術講演会

巻号頁・発行日

pp.27, 2012 (Released:2012-11-28)

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電界効果トランジスタの新チャネル材料として、Siよりもキャリア移動度等で優れたGeが注目され、Ge酸化物とその生成機構の解明が重要となっている。本研究では、代表的な低指数面であるGe(100)-2×1表面の超音速酸素分子線(2.2eV)とバックフィリングによる室温酸化を放射光XPSで比較した。分子線による吸着曲線の変化、吸着酸素量の増加と関連する吸着サイトの違いを明らかにしたので報告する。