- 著者
- 岡田 隆太 吉越 章隆 寺岡 有殿 神農 宗徹 山田 洋一 佐々木 正洋
- 出版者
- 公益社団法人 日本表面真空学会
- 雑誌
- 表面科学学術講演会要旨集 第32回表面科学学術講演会
- 巻号頁・発行日
- pp.28, 2012 (Released:2012-11-28)
Ge低指数面の中で電子移動度に優れる(111)は、電界効果トランジスタのチャンネルとして検討され、その酸化機構の解明は重要である。本研究では異なるEkによる表面酸化物の違いを放射光XPSにより調べた。Ek増加による酸素吸着量増加とそれに対応したGeの酸化成分の変化を発見した。吸着酸素の増加がGe3+形成に対して1.0 eVにエネルギー閾値を持つ活性化反応に起因することが分かった。