著者
トン ショウミン
出版者
筑波大学
雑誌
基盤研究(C)
巻号頁・発行日
2008

第一原理の理論計算によって、(1)強レーザー場における原子・分子再散乱電子の運動量分布を得た。その得られた運動量分布を利用して、ヘリウム原子の非逐次2重電離の過程を解明した。(2)強-レーザー場における原子・分子の光吸収過程のメカニズムを解明した。赤外線による、原子の光透過率をアト秒の範囲での制御方法を提案した。この方法は実験で使われている。

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こんな研究ありました:強レーザー場中における原子・分子再散乱電子の運動量分布及び応用の理論研究(トン ショウミン) http://t.co/LfDfnF6vFR
こんな研究ありました:強レーザー場中における原子・分子再散乱電子の運動量分布及び応用の理論研究(トン ショウミン) http://kaken.nii.ac.jp/ja/p/20540386

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