著者

松波 弘之 吉本 昌広 冬木 隆

出版者

京都大学

雑誌

試験研究

巻号頁・発行日

1988

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本研究では、6HーSic(0001)Si面、(0001^^ー)C面にオフアングルを導入することで表面のステップ密度を制御し、その基板上に6HーSiCの原子ステップ制御エピタキシャル成長を行った。成長機構の検討と不純物ド-ピングを行った結果は下記の通りである。1.原子ステップ制御エピタキシ-によるSiCの成長(1)Si面オフ基板ではオフ方向により成長の様子が異なる。[112^^ー0]方向オフ基板上には6HーSiCのみが成長する。一方、[11^^ー00]方向オフ基板上では長時間成長により、3CーSiCの混在が進む。(2)C面オフ基板では[112^^ー0]、[11^^ー00]のオフ方向に依存せず、6HーSiC単結晶が成長し、3CーSiCの混在は生じない。2.不純物のド-ピング(1)TMAを用いたA1のド-ピングを行い、p形層キャリア密度を4×10^<17>〜8×10^<20>cm^<ー3>の広い範囲で制御することができ、0.1Ωcm以下の低抵抗p層が得られた。また、フォトルミネセンス(PL)測定の結果からNドナ-のsite effectが確認できた。(2)TiCl_4流量を変化させることにより、Tiド-プ量を8×10^<17>〜2×10^<21>cm^<ー3>の範囲で制御することができた。Tiド-プ層のPL特性からTiに特有な発光が現れることを見いだし、これがTi等電子トラップに束縛された励起子発光であることを明らかにした。