著者

楢岡 清威

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.53, no.10, pp.877-883, 1984-10-10 (Released:2009-02-09)

参考文献数

15

---

半導体プロセスではエッチングのドライ化が進み,また工業的な結晶研磨にはメカノケミカル・ポーリッシュが使われてきた.しかし半導体などのリソグラフィーでアンダーカットによる線編誤差を補正できる場合,ウエットエッチングがなお適用されている.さらにウエットエッチング速度は材料の種類,結晶方位,あるいは不純物濃度による選択性をもつ.この特徴を欠陥現出,材料の評価,および各種加工に活用している.このような転換後のウエットエッチングの状況を概観する.この他,酸化物結晶材料の欠陥評価および研磨のためのエッチ液を探索する選択基準につき解説する.