著者

荒川 泰彦

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.61, no.8, pp.800-804, 1992-08-10 (Released:2009-02-05)

参考文献数

12

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半導体微細加工技術の進歩に伴い,最近量子細線,量子箱構造が広く注目を集めている.展望では,有機金属気相選択成長法(MocVD選択成長法)によるGaAs量子細線の作製技術について,著者らの最近の研究成果を中心に議論する.われわれが作製したGaAs量子細線は,SiO2パターン上の選択成長により形成され,一辺20nm以下の三角形状の断面を有している.キャリアの二次元的量子閉じ込め効果は,フォトルミネッセンスや磁気フォトルミネッセンスなどの測定によりその存在が確認された.また,キャリア寿命や時間分解スペクトルなどの観測も行い,キャリアの低次元性に起因すると思われる結果を得た.ざらに岡様な手法を用いてGaAs量子ドット構造の作製も試みている.