2 0 0 0 OA 高誘電率ゲート絶縁膜の信頼性(先端LSI技術と信頼性)
- 著者
- 塩野 登
- 出版者
- 日本信頼性学会
- 雑誌
- 日本信頼性学会誌 信頼性 (ISSN:09192697)
- 巻号頁・発行日
- vol.29, no.4, pp.198-205, 2007-07-01 (Released:2018-01-31)
- 参考文献数
- 26
CMOS LSIの高集積化・高性能化・低消費電力化は,基本構成要素のMOSFETの比例縮小則(スケーリング則)による微細化に基本を置き,その中心技術としてゲート酸化膜の薄層化がある.現状の最先端デバイスでは,その膜厚が2〜3nmとなり,物理的限界に近づいており,その代替技術として,高誘電率膜の開発が進められている.その高誘電率膜技術の開発の現状,問題点,信頼性上の着目点と現状について展望する.
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因みに、本当にデリケートな話をすれば、昨今の14nm以下のデバイスには、基本メタルゲートが使われてますが。
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結晶化構造を持っており、高温下での長期駆動をさせた場合、結晶化構造が崩れてしまうと、閾値電圧が変化して、回路の動作が正常に働かない恐れが出ます。 https://t.co/QK8NVfOQbF