- 著者
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岩田 徹
寺田 裕
赤松 寛範
松澤 昭
山内 寛行
- 出版者
- 一般社団法人電子情報通信学会
- 雑誌
- 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
- 巻号頁・発行日
- vol.97, no.108, pp.43-49, 1997-06-19
- 参考文献数
- 3
電源電圧1Vの動作を効率よく実現するGate-Over-Driving CMOS(GO-CMOS)Archi-tectureを提案する. 特長は以下の2点である. 1)負荷が小さな部分に関しては, 超低しきい値(-0.1Vかそれ以下)トランジスタを用いる代わりに昇圧電源を印加する. 2)重い負荷を駆動するドライバ回路に関しては, ポンプ回路の過度の負担を避けるために, ゲートのみを昇圧し, ドライバの電源は昇圧せずに外部から直接供給する. GO-CMOSによって, 電源電圧0.5Vにおいて従来の2倍の高速動作, 或いは従来比1/15の低消費電力を実現した.