著者

岩田 徹 寺田 裕 赤松 寛範 松澤 昭 山内 寛行

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス

巻号頁・発行日

vol.97, no.108, pp.43-49, 1997-06-19

参考文献数

3

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電源電圧1Vの動作を効率よく実現するGate-Over-Driving CMOS(GO-CMOS)Archi-tectureを提案する. 特長は以下の2点である. 1)負荷が小さな部分に関しては, 超低しきい値(-0.1Vかそれ以下)トランジスタを用いる代わりに昇圧電源を印加する. 2)重い負荷を駆動するドライバ回路に関しては, ポンプ回路の過度の負担を避けるために, ゲートのみを昇圧し, ドライバの電源は昇圧せずに外部から直接供給する. GO-CMOSによって, 電源電圧0.5Vにおいて従来の2倍の高速動作, 或いは従来比1/15の低消費電力を実現した.

著者

山内 寛行 岩田 徹 赤松 寛範 松沢 昭

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス

巻号頁・発行日

vol.96, no.226, pp.9-16, 1996-08-23

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SRM4が0.8V以下の電圧で100MHzの高速動作を要求されるとき, メモリーセルに求められるゲート・ソース間の電圧の昇圧の実現を従来技術の1/14に相当する5mW以下の低消費電力で達成できる回路技術を提案する. それは, 1)データ記憶ノード電位の並行昇圧移動方式, 2) オフセットソース線電位のオーバードライプ方式, 3)クロスポイント選択を可能にする電荷再利用型コラム選択・ワード線方向ソース線駆動力式に特徴をもつ.

著者

山内 寛行 赤松 寛範 藤田 勉

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会秋季大会講演論文集

巻号頁・発行日

vol.1994, no.2, 1994-09-26

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チップ全体の消費電力の半分以上を占める様になってきたデータバスの消費電力を低減する目的で種々の技術が提案されている。例えば、データバスの振幅をダウンコンバーター等の抵抗分割によって0.6Vに制限する方法である。しかし、抵抗分割による振幅制限は、抵抗部によるジュール熱や、DC貫通電流による電力損失を伴う問題がある。一方、上記問題点を解決するために著者らが提案した電荷再利用バス方式は、電源-接地間に並列バスを4対以上積み重ね、その間で上から下のバスへ、1クロック毎に電荷を転送し、再利用するもので、上記電力損失なしに小振幅を実現する方法である。しかし、実際のVLSI、例えばメモリーへの適用を考えた場合、通常データバスは階層構造を持っており、2対が並行レイアウトされたローカルバスと4対以上が並行レイアウトされたグローバルデータバスに分類される。本論文は、レイアウト上、積み重ねるバス数が2対しかないローカルバスにおいても、小振幅で電荷再利用可能なデータバスアーキテクチャーを提案する。