著者

山内 寛行 岩田 徹 赤松 寛範 松沢 昭

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス

巻号頁・発行日

vol.96, no.226, pp.9-16, 1996-08-23

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SRM4が0.8V以下の電圧で100MHzの高速動作を要求されるとき, メモリーセルに求められるゲート・ソース間の電圧の昇圧の実現を従来技術の1/14に相当する5mW以下の低消費電力で達成できる回路技術を提案する. それは, 1)データ記憶ノード電位の並行昇圧移動方式, 2) オフセットソース線電位のオーバードライプ方式, 3)クロスポイント選択を可能にする電荷再利用型コラム選択・ワード線方向ソース線駆動力式に特徴をもつ.