著者

亀井 輝彦 Li Yan Lee Seungpil 大和田 健 Nguyen Hao Nguyen Qui Mokhlesi Nima Hsu Cynthia Li Jason Ramachandra Venky 東谷 政昭 Pham Tuan 渡邉 光恭 本間 充祥 渡辺 慶久 井納 和美 Le Binh Woo Byungki Htoo Khin Tseng Tai-Yuan Pham Long Kim Kwang-ho Chen Yi-Chieh She Min Yuh Jong Chu Alex Chen Chen Puri Ruchi Lin Hung-Szu Chen Yi-Fang Mak William Huynh Jonathan Chan Jim Yang Daniel Shah Grishma Souriraj Pavithra Tadepalli Dinesh Tenugu Suman Gao Ray Popuri Viski Azarbayjani Behdad Madpur Ravindra Lan James Yero Emilio Pan Feng Hong Patrick Kang Jang Yong Moogat Farookh Fong Yupin Cernea Raul Huynh Sharon Trinh Cuong Mofidi Mehrdad Shrivastava Ritu Quader Khandker QUADER Khandker

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.112, no.15, pp.7-12, 2012-04-16

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19nm製造プロセスを用い、シングルチップとしては最大容量となる128Gb 3-bit/cell NAND型フラッシュメモリを開発した。NAND型フラッシュメモリとしては最大のGb/mm^2である、チップサイズ170mm^2を実現した。3-bit per cellでありながら、All Bit-Line(ABL)アーキテクチャ、Air Gap技術、400MbpsトグルモードI/Oインターフェースの採用により、標準BCH ECCにおいても18MB/sの書き込みスループットを実現した。