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文献一覧: Htoo Khin (著者)
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18MB/sを実現する128Gb 3-bit/cell 19nm NANDフラッシュメモリの開発(招待講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
著者
亀井 輝彦
Li Yan
Lee Seungpil
大和田 健
Nguyen Hao
Nguyen Qui
Mokhlesi Nima
Hsu Cynthia
Li Jason
Ramachandra Venky
東谷 政昭
Pham Tuan
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Quader Khandker
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出版者
一般社団法人電子情報通信学会
雑誌
電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路
(
ISSN:09135685
)
巻号頁・発行日
vol.112, no.15, pp.7-12, 2012-04-16
19nm製造プロセスを用い、シングルチップとしては最大容量となる128Gb 3-bit/cell NAND型フラッシュメモリを開発した。NAND型フラッシュメモリとしては最大のGb/mm^2である、チップサイズ170mm^2を実現した。3-bit per cellでありながら、All Bit-Line(ABL)アーキテクチャ、Air Gap技術、400MbpsトグルモードI/Oインターフェースの採用により、標準BCH ECCにおいても18MB/sの書き込みスループットを実現した。