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書込み速度443MB/sを実現する8Mb多層クロスポイントReRAMマクロ(招待講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
著者
川原 昭文
東 亮太郎
池田 雄一郎
河合 賢
加藤 佳一
早川 幸夫
辻 清孝
米田 慎一
姫野 敦史
島川 一彦
高木 剛
三河 巧
青野 邦年
出版者
一般社団法人電子情報通信学会
雑誌
電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路
(
ISSN:09135685
)
巻号頁・発行日
vol.112, no.15, pp.13-18, 2012-04-16
被引用文献数
1
TaOxを用いたReRAMの高速な書換え性能とクロスポイントメモリセルアレイ構成におけるスニーク電流を低減する書込みアーキテクチャにより、443MB/s(サイクル時間17.2ns、64bit並列)と、従来比約2倍の高速な書込みを実現する0.18μm 8Mbit多層クロスポイント型ReRAMマクロを開発した。
言及状況
変動(ピーク前後)
変動(月別)
分布
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こんな論文どうですか? 書込み速度443MB/sを実現する8Mb多層クロスポイントReRAMマクロ(招待講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)(川原 昭文ほか),2012 https://t.co/ynKoXo8ntd
1 1 https://t.co/Artq4uB5k6 https://t.co/dtPDkYIeAA
こんな論文どうですか? 書込み速度443MB/sを実現する8Mb多層クロスポイントReRAMマクロ(招待講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)(川原 昭文ほか),2012 https://t.co/ynKoXo8ntd
収集済み URL リスト
http://altmetrics.ceek.jp/article/ci.nii.ac.jp/naid/110009564287
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https://ci.nii.ac.jp/naid/110009564287
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