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1 0 0 0 4H-SiC埋め込みN/Vコドープによる短ライフタイム層の観測

著者
長屋 圭祐 平山 貴史 俵 武志 村田 晃一 土田 秀一 加藤 正史
出版者
応用物理学会
雑誌
2019年第66回応用物理学会春季学術講演会
巻号頁・発行日
2019-01-25

言及状況

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2019年第66回応用物理学会春季学術講演会加藤関連発表その３。SiCバイポーラデバイスの性能最適化のためのライフタイムコントロール技術（Vドープ）の評価/4H-SiC埋め込みN/Vコドープによる短ライフタイム層の観測 https://t.co/rifpr9uxrV

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