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1 0 0 0 4H-SiC SJ-UMOSFET 内部のキャリアライフタイム分布測定

著者
福井 琢也 長屋 圭祐 俵 武志 加藤 正史
出版者
応用物理学会
雑誌
2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
巻号頁・発行日
2020-01-28

1 0 0 0 4H-SiC 厚膜エピの高注入ライフタイムおよび拡散長推定

著者
(M2)長屋 圭祐 平山 貴史 宮坂 晶 児島 一聡 加藤 智久 奥村 元 加藤 正史
出版者
応用物理学会
雑誌
2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
巻号頁・発行日
2019-07-10

1 0 0 0 4H-SiC埋め込みN/Vコドープによる短ライフタイム層の観測

著者
長屋 圭祐 平山 貴史 俵 武志 村田 晃一 土田 秀一 加藤 正史
出版者
応用物理学会
雑誌
2019年第66回応用物理学会春季学術講演会
巻号頁・発行日
2019-01-25

1 0 0 0 4H-SiC ウェハの表面ラフネス周辺におけるライフタイムマッピング

著者
長屋 圭祐 平山 貴史 加藤 正史
出版者
応用物理学会
雑誌
2019年第66回応用物理学会春季学術講演会
巻号頁・発行日
2019-01-25