著者

乗松 潤 平山 秀樹 藤川 紗千恵 野口 憲路 高野 隆好 椿 健治 鎌田 憲彦

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.108, no.321, pp.77-82, 2008-11-20

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波長250-280nm帯の紫外LED・LDは今後殺菌用途応用への展開が予測され、その高効率・高出力化が大変期待されている。AlGaN紫外LEDの高効率化のためには、低貫通転位密度AlNテンプレートの使用が重要である。本研究ではEpitaxial Lateral Overgrowth (ELO)-AlNを用いることにより低貫通転位密度AlNテンプレートを実現し、その上にAlGaN系紫外LEDを作製しCW動作においてミリワット動作を得た。サファイア基板上に、まず、減圧MOCVD法によりアンモニアパルス供給多段成長法を用いて下地AlN層を成長した。そのAlN層に5/3μmのストライプ構造を形成した後、ELO-AlNを作製した。その上にAlGaN3層量子井戸を発光層とするLEDを作製した。ELO-AlN上AlGaN-LEDからは波長273nmの強い発光ピークが得られ、室温CW動作において最大出力は2.7mW、最大外部量子効率(EQE)は0.04%であった。

著者

野口 憲路 平山 秀樹 乗松 潤 鎌田 憲彦

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.108, no.322, pp.71-76, 2008-11-20

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波長210nm〜350nm帯の紫外LED・LDは様々な研究グループで開発が進められている。しかし発光効率は低く、特に250nm以下の波長帯では報告例も少ない。我々はサファイア基板上で(In)AlGaN多重量子井戸を用いて、波長220〜350nm帯の高効率紫外発光デバイスの実現を目指している。今回は1.6nm程度の幅の狭いAlGaN量子井戸を用いることにより、2.6nmの量子井戸の時に比べ約4倍発光強度が増大することを明らかにした。またAlN電子ブロック層を用いることにより電子のオーバーフローを抑制し,p層からの発光を抑えて量子井戸からの発光が増大することを明らかにした。これらの工夫により波長234nmにおいて出力0.4mW、外部量子効率0.034%、波長241nmにおいて出力1.13mW、外部量子効率0.084%を室温CW動作において実現した。