次世代の強誘電体不揮発性メモリーとして嘱望されている、MFS型FETの実用化に向けた検討を行った.現在我々が提唱しているMFS型FETのための物質は、YMnO_3であるが、実用化に向けていくつかの問題点が生じていた.大きなリ-ク電流、小さな残留分極である.この原因を探るために、様々な角度から検討を行った.単結晶上やPt基板上に作成されたYMnO_3薄膜はデバイスとして十分に機能する0.2μC/cm^2程度の残留分極値を示すが、Si直上に成長させた試料においては結晶性が悪く残留分極を示さなかった.いくつかの界面修飾を検討した結果、還元のY-Mn-OやY_2O_3が界面層として結晶性の向上に効果があることがわかった.これらの界面層を付加することによって、Si表面のキャリアを制御できることが確認された.そのときのメモリーウインドウ幅は1.1Vであった.これらの試料を用いて詳細なC-V特性、パルス特性等の電気特性の検討を行った結果、MFS型FETの基本的な動作は確認されたもののいくつかの問題点を明らかにすることができた.一番大きな問題点は保持特性が悪いことである.リ-ク電流が原因と考えられる.そこでパルク試料を用いてリ-ク電流の原因を探った.その結果、リ-ク電流はMnの価数揺動に起因しており、またそれはAサイトをYbと置換すること、Zrのド-ピングによって低減することが明らかにされた.また、AサイトのYB置換によってプロセス温度の低下が確認された.YbMnO_3Zrの薄膜化の検討を始めたところであるが、RMnO_3を用いたMFS型FETデバイスは実用化へ大きく前進した.
1 0 0 0 OA Mg3Cd合金単結晶における底面すべり
- 著者
- 吉岡 正三 中山 豊 伊藤 太一郎 高田 勝典
- 出版者
- 一般社団法人 軽金属学会
- 雑誌
- 軽金属 (ISSN:04515994)
- 巻号頁・発行日
- vol.24, no.7, pp.265-269, 1974-07-30 (Released:2008-10-30)
- 参考文献数
- 16
The basal slip of Mg3Cd single crystals was studied in the disordered and the ordered states. Results obtained are as follows:(1) The ordered specimens were very brittle and showed pronounced serrated flow.(2) In the disordered state CRSS depended on temperature below -78°C, while in the ordered state it scarcely depended on temperature.(3) CRSS at 20°C increased from-1.3kg/mm2 in the disordered state to-5.0kg/mm2 in the ordered state.(4) Slip lines in the disordered state were straight, coarse and distributed rather uniformly, while in the ordered state they diffused and localized.(5) In the disordered specimens dislocations arranged as pile-up arrays on the basal plane, and few dislocations on the nonbasal planes were observed. While, in the ordered specimens superlattice dislocations were observed on the basal plane where the dislocation density was low, however dislocation tangles consisting of unit dislocations on the basal and nonbasal planes were observed where the dislocation density was relatively high.