6 0 0 0 OA 南アルプス仙丈ヶ岳・薮沢の最終氷期の氷河作用と堆積段丘
- 著者
- 神澤 公男 平川 一臣
- 出版者
- 公益社団法人 日本地理学会
- 雑誌
- 地理学評論 Ser. A (ISSN:00167444)
- 巻号頁・発行日
- vol.73, no.2, pp.124-136, 2000-02-01 (Released:2008-12-25)
- 参考文献数
- 27
- 被引用文献数
- 4 8
南アルプス・仙丈ヶ岳緬の薮沢では,氷河地形と鞭物薩づけば最終糊の三っの異なる氷河前進期ないしは停滞期が認められた.氷河は最も古い薮沢1期に,最前進し,その末端高度はおよそ標高2,250m. であった.薮沢II期の氷河は標高2,550m付近まで再前進した.薮沢皿期の氷河の末端高度は標高2,890mで,カール内に留まった.i薮沢1期は最終氷期の初期~中期を,薮沢II期,i薮沢皿期は後期を不すと考えられる. 泥質の厚い薮沢礫層の堆積は,完新世初頭頃,急激に生じた.その形成は氷河作用とは無関係で,山岳永久凍土の融解に関連した山地崩壊による可能性がある.
次世代の強誘電体不揮発性メモリーとして嘱望されている、MFS型FETの実用化に向けた検討を行った.現在我々が提唱しているMFS型FETのための物質は、YMnO_3であるが、実用化に向けていくつかの問題点が生じていた.大きなリ-ク電流、小さな残留分極である.この原因を探るために、様々な角度から検討を行った.単結晶上やPt基板上に作成されたYMnO_3薄膜はデバイスとして十分に機能する0.2μC/cm^2程度の残留分極値を示すが、Si直上に成長させた試料においては結晶性が悪く残留分極を示さなかった.いくつかの界面修飾を検討した結果、還元のY-Mn-OやY_2O_3が界面層として結晶性の向上に効果があることがわかった.これらの界面層を付加することによって、Si表面のキャリアを制御できることが確認された.そのときのメモリーウインドウ幅は1.1Vであった.これらの試料を用いて詳細なC-V特性、パルス特性等の電気特性の検討を行った結果、MFS型FETの基本的な動作は確認されたもののいくつかの問題点を明らかにすることができた.一番大きな問題点は保持特性が悪いことである.リ-ク電流が原因と考えられる.そこでパルク試料を用いてリ-ク電流の原因を探った.その結果、リ-ク電流はMnの価数揺動に起因しており、またそれはAサイトをYbと置換すること、Zrのド-ピングによって低減することが明らかにされた.また、AサイトのYB置換によってプロセス温度の低下が確認された.YbMnO_3Zrの薄膜化の検討を始めたところであるが、RMnO_3を用いたMFS型FETデバイスは実用化へ大きく前進した.