著者

新井 康夫 坪山 透 原 和彦 三好 敏喜 海野 義信 一宮 亮

出版者

大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構

雑誌

基盤研究(A)

巻号頁・発行日

2009

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本研究では、Silicon-On-Insulator (SOI)技術を用い、50 ミクロン程度まで薄くでき、100 万以上の画素数を持つピクセル放射線検出器(SOIPIX)を開発した。またこの検出器を用いて、実際に加速器ビームを照射し、数ミクロンオーダの位置精度が得られる事を実証した。さらに、荷電粒子やガンマ線を用いた放射線耐性試験を行い詳細なデータを得ると共に、シミュレーションによりそのメカニズムを解明し、放射線耐性の向上の為にプロセスの改良を行った。