著者

高木 康文 左文字 克哉 岩城 和彦 大島 直樹 朴 康司 米津 宏雄

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス

巻号頁・発行日

vol.95, no.37, pp.25-29, 1995-05-18

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GaP(100)just基板上にMBE法により(GaAs)_1(GaP)_3歪短周期超格子を成長し、RHEED、TEMおよびXRDを用いて格子緩和過程を調べた。その結果、(GaAs)_1(GaP)_3 SSPS層は2次元的に成長し、格子不整合はヘテロ界面にミスフィト転位が導入されることによって緩和されることが明らかになった。また、成長層の膜厚が500nmのとき格子緩和率は約50%であり、格子緩和は徐々に進行することも分かった。