著者
秋葉 和人 徳永 将史
出版者
日本高圧力学会
雑誌
高圧力の科学と技術 (ISSN:0917639X)
巻号頁・発行日
vol.30, no.4, pp.260-273, 2020 (Released:2021-04-23)
参考文献数
38

In this article, we review our exploration of unconventional electronic states near the metal-insulator boundary in black phosphorus and lead telluride, which have long been known as narrow-gap semiconductors with simple crystal structure. In such low carrier systems with high mobility, the energy band structure and physical property can be drastically affected by application of high magnetic field and high pressure. High pressure is a powerful tool to continuously tune the band structure from semiconductor to semimetal without degradation of the mobility.
著者
金道 浩一 長田 俊人 徳永 将史 大道 英二 網塚 浩 海老原 孝雄 北澤 英明 杉山 清寛
出版者
東京大学
雑誌
特定領域研究
巻号頁・発行日
2005

非破壊100T領域でのスピン科学を展開するために、マグネットの開発を行った。新たなマグネットにより研究が進展したテーマは、「強磁場ESRおよびNMR」、「SPring-8における放射光X線を用いた実験」と「J-PARCにおけるパルス中性子源を用いた実験」である。また、非破壊100T発生および超ロングパルス磁場発生のためのモデルコイルのテスト実験に成功し、実用型のマグネットの製作が始まっている。