著者

伊藤 友二 澤田 孝幸 今井 和明 木村 尚仁 酒井 士郎

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.100, no.235, pp.23-30, 2000-07-20

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金属/n, p-GaN界面の電気的特性をI-V, C-V測定およびI-V-Tシミュレーションにより評価した。金属/n-GaN界面において報告されているショットキー障壁高さやリチャードソン定数のばらつき、障壁高さに対するI-V, C-V測定結果の差異、I-Vショルダーの出現は、障壁高さの不均一性の存在、すなわち、"パッチモデル"によって説明されることを示した。また、金属/GaN界面のフェルミ準位位置について、金属/n, p-GaNショットキー試料のI-V-T特性の測定から、n形およびp形ショットキー障壁高さの和、φ_<bn>+φ_<bp>、がGaNのバンドギャップに近い値となることを明らかにした。

著者

木村 尚仁

出版者

公益社団法人 日本工学教育協会

雑誌

工学教育 (ISSN:13412167)

巻号頁・発行日

vol.70, no.1, pp.1_93, 2022 (Released:2022-01-20)