著者
森田 清三 杉本 宜昭 阿部 真之
出版者
公益社団法人 日本顕微鏡学会
雑誌
顕微鏡 (ISSN:13490958)
巻号頁・発行日
vol.45, no.1, pp.51-54, 2010-03-30 (Released:2020-01-21)
参考文献数
9

原子間力顕微鏡による力学的原子操作について最初に説明し,つぎに,異種原子交換型垂直原子操作現象の発見と,これが探針先端原子を試料表面原子と室温で直接垂直交換できる夢の交換型単原子ペンであることについて明らかにする.最後に,原子埋め込み文字“Si”の組み立てにより,交換型単原子ペンによる室温での高速ナノパターンニングの可能性を示す.
著者
森田 清三 杉本 宜昭 大藪 範昭 クスタンセ O. 阿部 真之 ポウ P. ジェリネク P. ペレッツ R.
出版者
The Vacuum Society of Japan
雑誌
真空 (ISSN:05598516)
巻号頁・発行日
vol.50, no.3, pp.181-183, 2007-03-20

An atomic force microscope (AFM) under noncontact and nearcontact regions operated at room-temperature (RT) in ultrahigh vacuum, is used as a tool for topography-based atomic discrimination and atomic-interchange manipulations of two intermixed atomic species on semiconductor surfaces. Noncontact AFM topography based site-specific force curves provide the chemical covalent bonding forces between the tip apex and the atoms at the surface. Here, we introduced an example related to topography-based atomic discrimination using selected Sn and Si adatoms in Sn/Si(111)-(√3 ×√3 ) surface. Recently, under nearcontact region, we found a lateral atom-interchange manipulation phenomenon at RT in Sn/Ge(111)-c(2×8) intermixed sample. This phenomenon can interchange an embedded Sn atom with a neighbor Ge atom at RT. Using the vector scan method under nearcontact region, we constructed "Atom Inlay", that is, atom letters "Sn" consisted of 19 Sn atoms embedded in Ge(111)-c(2×8) substrate. Using these methods, now we can assemble compound semiconductor nanostructures atom-by-atom.<br>