著者

秋永 広幸 浅井 哲也

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.89, no.1, pp.41-45, 2020-01-10 (Released:2020-01-10)

参考文献数

18

被引用文献数

2

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アナログ抵抗変化素子(RAND)は,絶縁性酸化物における抵抗スイッチ効果を利用して,不揮発に電気抵抗値を記憶できる素子です.このRANDを用いれば,小型で低消費電力の脳型情報処理を実現できます.本稿では,RANDの概要と抵抗変化の制御方法,RANDを用いた脳型アーキテクチャについて紹介します.また,RAND回路の性能評価を行った例を紹介します.人工知能(AI)研究における,ソフトとハードを一体的に開発することの必要性や必然性を感じていただければ幸いです.